Goford Semiconductor 2301H
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- 2301H
- Goford Semiconductor
- P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 2301H 數據表
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Cut Tape (CT)
-
無鉛/符合RoHS - 16021
- 現貨庫存/特許經銷商/工廠剩餘庫存
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| Part Number 2301H |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Goford Semiconductor |
| Description P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)< |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package SOT-23-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 1W (Ta) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 2.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 10 V |
| Vgs (Max) ±12V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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