BLF10M6LS200U112

NXP USA Inc. BLF10M6LS200U112

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  • BLF10M6LS200U112
  • NXP USA Inc.
  • POWER LDMOS TRANSISTOR
  • 電晶體 - 雙極 (BJT) - 單
  • BLF10M6LS200U112 數據表
  • -
  • Bulk
  • 無鉛/符合RoHS無鉛/符合RoHS
  • 909
  • 現貨庫存/特許經銷商/工廠剩餘庫存
  • 1年品質保障 》
  • 點擊獲取費率
零件編號
BLF10M6LS200U112
類別
電晶體 - 雙極 (BJT) - 單
製造商
NXP USA Inc.
說明
POWER LDMOS TRANSISTOR
封裝
Bulk
串聯
-
工作溫度
-
安裝類型
-
包裝/外殼
-
供應商設備包
-
功率-最大
-
電晶體類型
-
集電器電流(Ic)(最大值)
-
電壓-集極-射極擊穿(最大)
-
電壓飽和度(最大)@Ib,Ic
-
集電極截止電流(最大)
-
直流電流增益(hFE)(最小)@Ic,Vce
-
頻率-轉換
-

BLF10M6LS200U112 保障

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