Infineon Technologies IPAN60R650CEXKSA1
- IPAN60R650CEXKSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
- 電晶體 - FET、MOSFET - 單
- IPAN60R650CEXKSA1 數據表
- TO-220-3 Full Pack
- Tape & Reel (TR)
-
無鉛/符合RoHS - 2962
- 現貨庫存/特許經銷商/工廠剩餘庫存
- 1年品質保障 》
- 點擊獲取費率
| 零件編號 IPAN60R650CEXKSA1 |
| 類別 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 製造商 Infineon Technologies |
| 說明 MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220 |
| 封裝 Tape & Reel (TR) |
| 串聯 CoolMOS™ |
| 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 Through Hole |
| 包裝/外殼 TO-220-3 Full Pack |
| 供應商設備包 PG-TO220-FP |
| 科技 MOSFET (Metal Oxide) |
| 功耗(最大) 28W (Tc) |
| 場效電晶體類型 N-Channel |
| 場效電晶體特性 Super Junction |
| 汲極電壓(Vdss) 600 V |
| 電流-連續排放(Id)@25°C 9.9A (Tc) |
| 汲極與源極之間的導通電阻(最大)@ Id, Vgs 650mOhm @ 2.4A, 10V |
| 開啟電壓(最大)@Id 3.5V @ 200µA |
| 開啟電壓下的閘極電荷(Qg)(最大)@ Vgs 20.5 nC @ 10 V |
| 漏源電壓下的輸入電容(Ciss)(最大)@ Vds 440 pF @ 100 V |
| 開啟電壓(最大) ±20V |
| 驅動電壓(最大漏電源電阻,最小漏電源電阻) 10V |
IPAN60R650CEXKSA1 保障



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