Infineon Technologies IPP60R190P6XKSA1
- IPP60R190P6XKSA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
- 電晶體 - FET、MOSFET - 單
- IPP60R190P6XKSA1 數據表
- TO-220-3
- Tube
-
無鉛/符合RoHS - 3289
- 現貨庫存/特許經銷商/工廠剩餘庫存
- 1年品質保障 》
- 點擊獲取費率
| 零件編號 IPP60R190P6XKSA1 |
| 類別 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 製造商 Infineon Technologies |
| 說明 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 |
| 封裝 Tube |
| 串聯 CoolMOS™ P6 |
| 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 Through Hole |
| 包裝/外殼 TO-220-3 |
| 供應商設備包 PG-TO220-3 |
| 科技 MOSFET (Metal Oxide) |
| 功耗(最大) 151W (Tc) |
| 場效電晶體類型 N-Channel |
| 場效電晶體特性 - |
| 汲極電壓(Vdss) 600 V |
| 電流-連續排放(Id)@25°C 20.2A (Tc) |
| 汲極與源極之間的導通電阻(最大)@ Id, Vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V |
| 開啟電壓(最大)@Id 4.5V @ 630µ |
| 開啟電壓下的閘極電荷(Qg)(最大)@ Vgs 11 nC @ 10 V |
| 漏源電壓下的輸入電容(Ciss)(最大)@ Vds 1750 pF @ 100 V |
| 開啟電壓(最大) ±20V |
| 驅動電壓(最大漏電源電阻,最小漏電源電阻) 10V |
IPP60R190P6XKSA1 保障



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